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IGBT供不應(yīng)求,代工價格喊漲
發(fā)布時間:2023-03-21
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當(dāng)下半導(dǎo)體周期下行,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈多細(xì)分領(lǐng)域均明顯邁入到庫存調(diào)整周期。然而,在電動車與太陽能光伏兩大主流應(yīng)用需求大增助推下,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)近期出現(xiàn)較大程度缺貨,不僅價格連漲,業(yè)界更以“不是價格多高的問題,而是根本買不到”來形容缺貨盛況。


IGBT供不應(yīng)求,代工價格喊漲

自2020年汽車缺芯以來,汽車芯片結(jié)構(gòu)性缺芯愈發(fā)明顯,IGBT一直處于緊缺狀態(tài)。在2022年下半年,其甚至超越車用MCU,成為影響汽車擴(kuò)產(chǎn)的最大掣肘。

今年年初媒體消息顯示,漢磊集團(tuán)于年初調(diào)漲IGBT產(chǎn)線代工價一成左右。據(jù)悉,漢磊掌握IGBT芯片組件龍頭英飛凌大單,在晶圓代工報價普遍回調(diào)之際,漢磊集團(tuán)逆勢漲價,凸顯市況火熱。

據(jù)富昌電子2023年2月17日發(fā)布的《2023 Q1芯片市場行情報告》數(shù)據(jù)顯示,ST(意法半導(dǎo)體)、Microsemi(美高森美)、Infineon(英飛凌)、IXYS(艾賽斯)、Fairchild(仙童半導(dǎo)體)這5大品牌的IGBT Q1與2022年Q4的交期基本維持一致,交期依舊緊張,最長為54周。

具體來看,在2023年第一季度中,ST的IGBT 貨期為47-52周,Microsemi的IGBT 貨期為42-52周,IXYS的IGBT 貨期為50-54周,Infineon的IGBT 貨期為39-50周,F(xiàn)airchild的IGBT 貨期為39-52周。不過,這5大品牌的貨期趨勢和價格趨勢都呈穩(wěn)定狀態(tài),沒有上升的趨勢。

近日,業(yè)界人士談IGBT缺貨現(xiàn)象,直言“漲價搶貨已不是新鮮事,不是價格多高的問題,而是根本買不到”,其分析這波缺貨潮還會延續(xù)一陣子。

業(yè)者分析,IGBT大缺貨有2大原因,一是當(dāng)前太陽能逆變器采用IGBT的比重大幅提升,二是目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于調(diào)整期,不僅產(chǎn)能有限,而且許多產(chǎn)能都被電動車廠搶走,在排擠效應(yīng)下,導(dǎo)致IGBT大缺。

隨著新能源車興起,對高電壓需求大增,IGBT成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展焦點,一輛電動車使用的IGBT數(shù)量高達(dá)上百顆,是傳統(tǒng)燃油車的七到十倍。在工業(yè)用途上,則有AC伺服馬達(dá)、變頻器、風(fēng)力及太陽能發(fā)電等綠電應(yīng)用,在高壓部分則是高速鐵路等軌道運(yùn)輸以及電網(wǎng)的應(yīng)用。

IGBT后,SiC成車用半導(dǎo)體廠商下一個風(fēng)口

當(dāng)下SiC功率元件作為各家電動汽車性能致勝的一大依賴技術(shù),整車廠們爭相綁定未來幾年的SiC供應(yīng),IGBT供應(yīng)商也不例外。

TrendForce集邦咨詢分析師龔瑞驕指出,碳化硅擁有優(yōu)越的電氣特性,傳統(tǒng)的硅材料無法比擬。碳化硅取代硅基IGBT是不可逆的趨勢,尤其是在800V充電架構(gòu)之下,硅基IGBT已經(jīng)達(dá)到性能的極限,很難滿足主驅(qū)逆變器的技術(shù)需求。從下游應(yīng)用來看,碳化硅組件是電動汽車制造商未來必須考慮的核心組件,另外光伏儲能場景也在加速導(dǎo)入,因此近幾年碳化硅市場將維持供不應(yīng)求態(tài)勢,產(chǎn)業(yè)熱度不會降低。

TrendForce集邦咨詢在最新發(fā)布的調(diào)研報告中預(yù)測,隨著安森美、英飛凌等與汽車、能源企業(yè)合作項目的不斷增多,碳化硅功率器件的前兩大應(yīng)用為新能源汽車與再生能源領(lǐng)域,分別在2022年已達(dá)到10.9億美元及2.1億美元,占碳化硅功率器件整體市場產(chǎn)值約67.4%和13.1%。到2023年,碳化硅功率器件整體市場產(chǎn)值將達(dá)到22.8億美元,年增長41.4%。

TrendForce集邦咨詢預(yù)測,至2026年,碳化硅功率器件市場產(chǎn)值可望達(dá)到53.3億美元。主流應(yīng)用仍倚重電動汽車及再生能源,電動汽車產(chǎn)值可達(dá)39.8億美元,年復(fù)合增長率約38%;再生能源達(dá)4.1億美元,年復(fù)合增長率約19%。

當(dāng)下,IGBT主要由歐日大廠主導(dǎo),以英飛凌市占率最高,此外日本富士電機(jī)、安森美半導(dǎo)體、東芝、意法半導(dǎo)體等也是主要供貨商,這些大廠近年來紛紛加碼SiC布局。


英飛凌

2023年,英飛凌將SiC、BMS、MCU當(dāng)作重點開拓市場。

2月16日,其宣布將投資50億歐元,在德國德累斯頓建設(shè)一座12英寸晶圓廠。據(jù)悉,該模擬/混合信號技術(shù)和功率半導(dǎo)體新工廠計劃于2026年投產(chǎn),其生產(chǎn)的模擬/混合信號零部件和功率半導(dǎo)體將主要應(yīng)用于汽車和工業(yè)應(yīng)用。

瑞薩電子

瑞薩電子方面,去年五月其宣布將向2014年10月關(guān)閉的甲府工廠(山梨縣甲斐市)投資900億日元,目標(biāo)在2024年恢復(fù)其300mm功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線,生產(chǎn)包括IGBT和功率MOSFET在內(nèi)的產(chǎn)品。

2022年8月,瑞薩電子宣布針對下一代電動汽車逆變器應(yīng)用,AE5代IGBT產(chǎn)品將于2023年上半年在瑞薩位于日本那珂工廠的200mm和300mm晶圓線上開始批量生產(chǎn)。

意法半導(dǎo)體

意法半導(dǎo)體則在去年十月其宣布,將在意大利建造一座價值7.3億歐元的碳化硅晶圓廠。據(jù)介紹,這將是歐洲首家量產(chǎn)150mm SiC外延襯底的工廠,它整合了生產(chǎn)流程中的所有步驟。展望未來,ST致力于在未來開發(fā)200mm晶圓。

安森美

2月11日,安森美正式接手了格芯一座在紐約的12英寸廠,并承諾為之投資13億美元。安森美表示,該工廠將生產(chǎn)支持電動汽車、電動汽車充電和能源基礎(chǔ)設(shè)施的芯片,將推動公司能夠在汽車電氣化、ADAS、能源基礎(chǔ)設(shè)施和工廠自動化的大趨勢中加速增長。

安森美首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury 指出,在未來三年內(nèi),安森美將為SiC提供40億美元的承諾收入,2023年約為10億美元,并可能在2024年和2025年增長約30%,達(dá)到17億美元。為了達(dá)成目標(biāo),安森美已經(jīng)將生產(chǎn)SiC的晶圓廠產(chǎn)能翻了一番,并計劃在2023年再次翻番,然后在2024年再次翻番。

隨著IGBT供應(yīng)商不斷加碼SiC,逐步緩解當(dāng)下功率半導(dǎo)體缺貨現(xiàn)狀的同時,新的技術(shù)匯入將會將會給功率半導(dǎo)體市場帶來全新體驗。




注:文字來源及版權(quán)屬于全球半導(dǎo)體觀察,捷邁科技僅作轉(zhuǎn)載分享。

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